电动汽车发展中选择SiC和GaN的优势在哪里

大家好，小科来为大家解答以上问题。电动汽车发展中选择SiC和GaN的优势在哪里这个很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

解答：

1、 电动汽车和混合动力电动汽车的制造商正在寻找多级动力传动系统的高效功率转换解决方案。诸如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的宽带隙半导体在以下方面提供了优于硅的性能优势：更高的效率和开关频率，以及承受更高工作温度和电压的能力。

2、 为了更快地为电动汽车充电，汽车电力电子设计师需要GaN和SiC器件以及能够满足电动汽车效率和功率密度要求的新动力总成架构。为了在给定电池容量的情况下获得最大充电范围，整个功率转换链必须达到最大可能效率。电池必须具有非常高的能量存储密度。电动汽车的自主性直接反映了其动力系统的效率。

3、 下一代电动汽车和AV会议的路线图让汽车设计人员深入了解开发高能效和具有自动化功能的先进电动汽车的构建模块。演讲者题为“宽带隙半导体将如何促进电动汽车的发展？”在小组讨论中讨论了SiC和GaN的优点。

4、 演讲者是马克明泽；英飞凌汽车事业部大功率业务线创新与新兴技术团队副总裁；迪尔德乔杜里；NexperiaPower技术战略市场总监甘；意法半导体宽带Gap战略营销经理菲利普迪乔瓦尼。

5、 以下是小组讨论的重点。

6、 无污染的

7、 EETimes:随着汽车工业向“零排放”运输迈进，制造商们正在快速推进他们的电气化计划。为了满足客户对性能的期望，这些电动汽车需要能够在高温下高效运行的电力电子设备。为了满足这些要求，汽车制造商和原始设备制造商正转向SiC和GaN技术。在EV中哪里可以找到GaN和SiC？我们需要在哪些子系统中广泛使用WBG材料，哪些材料对于我们今天所知的电动汽车类型是必不可少的？GaN/SiC给汽车行业带来哪些变化？

8、 马克明泽：市场正在蓬勃发展；我们正处于进入新技术的阶段，新技术在很多层面上有助于实现车辆电气化。看宽带隙，自然可以看出这种技术可以提高子系统的效率。要求切入点符合材料特性。GaN和SiC具有出色的开关损耗和部分负载特性。所以宽带隙材料的第一个突破点自然是OBC，其中开关频率最高的[WBG材料]的开关行为绝对是优势。另一方面，有了主逆变器，它实际上是利用储存的能量来延长车辆的续航里程，因为说到底，这才是真正的区别。

9、 DilderChowdhury:“宽带隙材料，特别是碳化硅和氮化镓，正在进入车载充电器的DC/DC等子系统，最终将用于牵引逆变器。我们在研究大功率配置，会产生最大的效益。在这里，宽带隙[材料]具有非常好的开关性能，非常低的开关损耗和非常好的高压性能。这是它比传统的硅超级结或IGBT解决方案更好的地方。

10、 FilippoDiGiovanni:宽带隙半导体的广泛使用取决于汽车设计师设定的目标。换句话说，如果目标是极限性能，比如跑车，或者如果我们希望实现每个给定电池组的最长续航里程，那么逆变器的硅方案是必要的；如果我们想更快地给电池充电，OBC必须围绕碳化硅和氮化镓来设计。当GaN达到完全的汽车性能时，它肯定会成为一个竞争对手。因此，例如，如果电动汽车是为城市汽车设计的，传统的IGBT可能最适合有限的续航里程。

11、 图1:EV框图(来源：意法半导体)

本文到此结束，希望对大家有所帮助。

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