ASML开发的下一代EUV平台

大家好，小科来为大家解答以上问题。ASML开发的下一代EUV平台这个很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

解答：

1、 ASML开发的下一代EUV平台，将数值孔径从0.33增加到0.55，将提供比当前EUV平台高70%的分辨率。

2、 在最近的SPIE高级光刻构图会议上，来自英特尔的马克菲利普斯对0.55高数值孔径极紫外光刻技术进行了深刻的分享。

3、 马克甚至断言，高NAEUV的开发进度将支持2025年的生产部署。

4、 本文总结了Mark演讲的亮点，包括对0.55NA一代以后的预测。

5、 具有13.5纳米波长源的高数值孔径系统将提高亚13纳米半节距曝光所需的分辨率，以及更大的图像对比度，以实现更好的印刷线均匀性。

6、 高NAEUV光刻的分辨率通常被称为“13纳米到8纳米半节距”。

7、 EUV技术史

8、 首先，回顾以下0.33NAEUV技术的历史。

9、 2014-2017年第一代系统研制周期实现目标源功率和可用性的困难。

10、 晶片成本评估反映了增加的工具成本、掩模成本和0.33NA过渡对产量的影响。

11、 马克指出：“93i节距分割光刻(多图形)效果很好。

12、 EUV过渡所需的光刻基础设施还没有完全可用。

13、 转向0.33NAEUV的令人信服的原因是间距划分对边缘放置误差(EPE)的影响。

14、 具有间距划分的覆盖对准的复杂性显著增加。

15、 下图说明了Mark提到的掩模对准依赖性的例子，因为使用了越来越多的双图案掩模层。

16、 马克说，从成本分析的角度来看，当用单个0.55NA掩模替换双图案化的0.33NA层时，与前期用单个0.55NA掩模替换193i掩模时的成本权衡相比，0.55NAEUV将比0.33NAEUV更便于掩模。

17、 EUV基础设施

18、 EUV的讨论通常集中在ASML掩模对准器3354上，然而，有一组丰富而复杂的相互依赖的技术需要伴随曝光系统的任何变化：

19、 剂量敏感性、粘度、涂层均匀性和厚度、可实现的分辨率以及对曝光期间材料中光子/离子/电子相互作用的理解。

20、 掩模毛坯质量：平整度、缺陷、热膨胀系数

21、 掩模质量：掩模吸收层的缺陷、反射率/消光率。

22、 掩模缺陷检测技术——分辨率和吞吐量

23、 膜：透射率、均匀性、与暴露于高能照明的兼容性、膜附着后的缺陷检测。

24、 马克称赞了光刻行业在所有这些领域取得的相应进展，并特别提到了检查和计量系统的供应商。

25、 他说，“到2019年，所有0.33NAEUV基础设施系统都将是好的，尽管薄膜的透射率、均匀性和功率弹性仍有待提高。

26、 "

27、 下图ASML说明了保护膜的透射率与晶圆产量之间的直接关系。目标是在2025年实现“高级保护膜材料”，提供94%的透光率。

28、 0.55高NA转换

29、 Mark分享了即将到来的流程节点转换的目标：

30、 7纳米节点：18纳米马力

31、 5纳米节点：13纳米马力

32、 3纳米节点：10纳米马力

33、 然后，他回顾了0.55NA基础架构的各个方面。

34、 EUVEXE:5000系统

35、这些系统利用了第一代NX:3000系列中的许多现有子系统。