65 W高频QR USB PD适配器参考设计

大家好，小科来为大家解答以上问题。65W高频QRUSBPD适配器参考设计这个很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

解答：

1、 更大容量的电池需要相同或更快的充电时间的趋势正在加速USB-CPD的采用。

2、 在设计USBPD适配器和充电器时，需要满足COCV5Tier2等最新能效标准，并考虑小型化设计，以匹配移动便携设备等轻、薄、短但功能丰富多样的趋势。

3、 onsemi最近推出的65W高频准谐振(QR)USBPD适配器和快充参考设计，支持PD3.0、PPS、BC1.2等快充协议，平均能效接近92%，远超COCV5Tier2标准，尺寸仅为50mmx50mmx28mm。它是智能手机快速充电，笔记本电脑适配器和其他应用的理想选择。

4、 图1:65W高频QRUSBPD适配器和快速充电方案

5、 该设计集成了NCP1345高频QR反激式PWM控制器、超级结MOSFET、NCP4307同步整流控制器和FUSB15101PD控制器，支持90VAC至264VAC的输入电压范围和3.3V至21V的输出电压。

6、 图2:2:65w高频QRUSBPD适配器及快速充电方案电路原理图

7、 提高工作频率可以减小电源的尺寸。该设计在264伏交流电压和满载时的频率为190千赫。还可以内置氮化镓(GaN),以进一步提高开关频率并降低损耗。

8、 NCP1345QR反激拓扑采用专有的谷底锁定电路，确保稳定的谷底开关，直到第6个谷底。随着负载的进一步降低，NCP1345在空载和轻载时进入安静跳跃和反激不连续导通模式(DCM)，然后过渡到频率反转模式，以降低开关损耗，提高空载和轻载时的能效。

9、 锁定和静音跳过实现了市场领先的噪声性能，电磁干扰(EMI)性能也由于波形谐波含量的减少而得到改善，这可以减少所需的EMI滤波器，从而降低成本。

10、 内置的自适应驱动电路可以有效降低二次电压应力。

11、 借助NCP4307同步整流控制器，MOSFET不仅可以替代二极管整流器，从而降低整流器两端的压降和导通损耗，实现更高的系统能效，还可以降低寄生振铃和系统噪声，提高可靠性。

12、 FUSB15101USBType-C和PD控制器集成了高效的ArmCortex-M0处理器和定制设计的外设，无缝支持USBPD3.0应用，集成了电源端口的所有要求，并提供了最佳的系统方案，可以根据具体的应用要求轻松定制。完整的嵌入式固件方案，包括高级功率共享算法，可有效优化系统的总功耗。

13、 能效测试

14、 我们测试了这款65W高频QRUSBPD适配器参考设计在115VAC(蓝色曲线)和230VAC(红色曲线)输入电压下的平均能效和轻负载(10%负载)能效。从下图可以看出，它们远高于COCV5Tier2平均能效标准和COCV5Tier2轻载能效标准，输出电压为5V时待机功耗低于45mW，远优于能效标准。

15、 图3:能效曲线

16、 安全功能和有限电源(LPS)测试

17、 65W高频QRUSBPD方案集成了丰富的安全和保护功能，包括：精确过压保护(OVP)、过流保护(OCP)、短路保护(SCP)、开环保护、X2电容放电等。

18、 此外，65WUSBPD方案满足PDO和PPS协议下的LPS要求，测试结果如下表所示。

19、 PDO支持5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A五个固定电压档位，LPS标准要求输出5V3A、9v3a、12v3a时最大短路电流为8A，输出15V3A时为6.67A，输出20v3.25A时为5a.

20、 符合LPS标准的电源输送给负载的输出电压、输出电流和输出功率都在要求范围内，以避免触电和火灾的危险。

21、 特性试验

22、 经测试，该65W高频QRUSBPD适配器参考设计在各种负载条件下的纹波和噪声均低于80mV，动态性能稳定，EMI和热性能优异。

23、 图4:90VAC时65W高频QRUSBPD适配器参考设计的纹波

24、 图5:65W高频QRUSBPD适配器参考设计热成像

25、 原标题：外形小巧，远超能效标准！6W高频准谐振USBPD适配器

本文到此结束，希望对大家有所帮助。

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