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LPDDR5记忆体标準正式发布速度翻倍至6400Mbps功耗降低
2月20日JEDEC正式发布了JESD209-5,即LowPowerDoubleDataRate5(LPDDR5)全新低功耗记忆体标準。
相较于2014年发布的第一代LPDDR4标準,LPDDR5的I/O速度从3200MT/s提升到6400MT/s(DRAM速度6400Mbps),直接翻倍。如果匹配高阶智慧机常见的64bitbus,每秒可以传送51.2GB数据;要是PC的128bitBUS,每秒破100GB无压力。
JEDEC认为LPDDR5有望对下一代便携电子设备(手机、平板)的性能产生巨大提升,为了实现这一改进,标準对LPDDR5体系结构进行了重新设计,转向最高16Bank可编程和多时脉体系结构。
同时还引入了数据複製(Data-Copy)和写X(Write-X)两个减少数据传输操作的命令来降低整体系统功耗,前者可以将单个阵脚的数据直接複製到其它针脚,后者则减少了SoC和RAM传递数据时的耗电。另外LPDDR5还引入了链路ECC纠错,讯号电压250mV,Vddq/Vdd2电压还是1.1V。
事实上去年7月,三星就宣布成功开发出业内首款LPDDR5-6400晶片,採用10nm级製程,单颗容量8Gb(1GB),去年10月的在港举办的高通4G/5G峰会上,三星人士透露,LPDDR5计划2020年商用。
消息来源
Samsung-LPDDR5-DRAM.jpg
2019-2-2021:05上传
相较于2014年发布的第一代LPDDR4标準,LPDDR5的I/O速度从3200MT/s提升到6400MT/s(DRAM速度6400Mbps),直接翻倍。如果匹配高阶智慧机常见的64bitbus,每秒可以传送51.2GB数据;要是PC的128bitBUS,每秒破100GB无压力。
JEDEC认为LPDDR5有望对下一代便携电子设备(手机、平板)的性能产生巨大提升,为了实现这一改进,标準对LPDDR5体系结构进行了重新设计,转向最高16Bank可编程和多时脉体系结构。
同时还引入了数据複製(Data-Copy)和写X(Write-X)两个减少数据传输操作的命令来降低整体系统功耗,前者可以将单个阵脚的数据直接複製到其它针脚,后者则减少了SoC和RAM传递数据时的耗电。另外LPDDR5还引入了链路ECC纠错,讯号电压250mV,Vddq/Vdd2电压还是1.1V。
事实上去年7月,三星就宣布成功开发出业内首款LPDDR5-6400晶片,採用10nm级製程,单颗容量8Gb(1GB),去年10月的在港举办的高通4G/5G峰会上,三星人士透露,LPDDR5计划2020年商用。
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