迈入20nm大关三星量产最先进4GbDDR3记忆体颗粒

今天三星宣布开始量产全球最先进的4Gb DDR3记忆体颗粒，这种颗粒採用了最新的20nm製程（不是20nm class）、改进的封装製程和现有的ArF浸入式光刻技术生产，性能比25nm DDR3高30%，比30nm级别DDR3高1倍以上，同时功耗比25nm减少25%。

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2014-3-11 21:03 上传

在原本的DRAM中，每一个单元之间都要通过一个电容器和晶体管连接，相比起只需要一个晶体管连接的NAND记忆体颗粒，前者要扩展容量更加困难。为了解决这一难题，三星修改了DRAM的设计和生产技术，并提出了双重曝影和原子层沉积技术。其中最重要的双重曝影可以使用现有光刻技术生产20nm DDR3，同时又为下一代10nm级别DRAM生产建立了技术基础。后者则是一种新的超薄介质层技术，可以带来更强的性能。

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