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台积电2奈米GAA研发提前三星弯道恐难超车
发布时间:2023-03-20 17:36:02来源:
导读 根据 TechNews 科技新报的报导,台积电 2 奈米製程研发,现已离开寻找路径阶段,进入交付研发,且法人预期 2023 年下半即可风险性试
根据TechNews科技新报的报导,台积电2奈米製程研发,现已离开寻找路径阶段,进入交付研发,且法人预期2023年下半即可风险性试产。DSC_0017-624x467.jpg
2020-9-2111:43上传
▲台积电总裁魏哲家
台积电去年就成立2奈米专案研发团队,在考量成本、设备相容、技术成熟及效能表现等多项条件下来寻找可行路径,如今台积电虽然仍没有公布细节,但已表示将会是全新架构。而据供应链消息透露,台积电2奈米即将改採全新的GAA基础,使用多桥通道场效电晶体(MBCFET)架构。
这是由于3奈米已达FinFET技术的瓶颈,会出现製程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题,就算有EUV技术加持,但2奈米势必要转换跑道。虽然三星提早在3奈米就打算採用GAA,意图在此技术上弯道超车台积电,但台积电研发多年的奈米片(NanoSheet)堆叠关键技术,及EUV运用经验,将能使良率提升更顺利。
所以不少法人预期,若2奈米在2023年即能投产,三星就算在弯道恐怕也超不了车。就目前台积电所公布的製程推进现况来看,採用EUV的5奈米良率已快速追上7奈米,显见台积电在良率提升上的底蕴,甚至有业界预期风险试产良率即可到9成。三星虽提前量产3奈米GAA,但在性能上未必能压过台积电,而GAA良率上的落差可能也不会如预期般明显,且据传2奈米背后还有苹果的研发能量支持。
不过未来半导体製程将会更加竞争,不仅是三星,英特尔的SuperFin技术也不可小觑,虽然奈米节点时程落后,但实际性能并不真的多差。早有舆论认为,台积电及三星的製程竞逐,很多只是数字游戏,而英特尔其实相对踏实,就实际电晶体密度等指标来看,新的英特尔10奈米强化版已接近台积电5奈米,是非常大的单一节点升级。
只要英特尔也敢忍痛杀价,SuperFin仍然很有高阶製程市场的竞争力,就如同三星8奈米已打出一片市场一般,台积电虽然还佔有优势,但仍不能轻敌。目前台积电已表示,未来2奈米研发生产将落脚新竹宝山,将规划建设4个超大型晶圆厂,将成为下一轮半导体大战主力。
消息/图片来源:TechNews科技新报
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