GalaxyS8大记忆体有望了三星推出18nm製程的8GB记忆体

智慧手机记忆体容量提升得看上游厂商的量产进度，目前大行其道的6GBLPDDR4记忆体得感谢三星等公司推出的12Gb颗粒，而这次8GBLPDDR4记忆体背后则是三星16GbLPDDR4记忆体颗粒的规模量产，只需要四颗就能实现8GB容量。

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2016-10-2021:04上传

至于工艺，三星官方说是10nm等级，要知道三星前两天才宣布量产10nm製程，但是记忆体製程跟这个10nm製程并不一样，三星的10nm等级记忆体製程实际上就是18nm，今年3月份正式量产，虽然数字上跟前代的20nm製程相差很小，但18nm製程已经是新一代製程了，而且三星的18nm製程是目前最先进的，SKHynix、美光的记忆体製程还在20nm製程挣扎。

除了容量、製程之外，这次的8GBLPDDR4记忆体频率也更高，4266Mbps的速度相当于桌上型DD4-2133的两倍，理论频宽34GB/s，放在PC电脑上也是相当高的水平了。

三星去年8月份量产的20nm製程、12Gb颗粒成就了今天的6GB记忆体手机，那么这次18nm製程、16Gb颗粒的8GB记忆体预计会成为明年初新旗舰手机的标配了——8GB足够超过很多人的PC记忆体了吧。

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