美光宣布大规模量产45nmPCM相变存储快闪记忆体

美光宣布大规模量产45nmPCM相变存储快闪记忆体
下一代非易失性存储技术争霸战中，MRAM（磁阻随机存取记忆体）得到了最多关注，包括Intel、高通、三星在内的业界大腕也都在研究这一技术，另一个竞争者就是PCM（相变记忆体），代表人物则是美光，日前他们宣布已经成功大规模量产PCM，这将为PCM进入市场提供更多可能。

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2012-7-1817:41上传

MaximumPC报导称，美光使用45nm工艺成功量产1GbPCM快闪记忆体，工作电压为标準的1.8V，实际上这个记忆体是由1Gb容量的PCM快闪记忆体和512Mb的低功耗DDR2快闪记忆体组成，二者使用相同的传输介面。
美光公司希望初期的产品用于功能手机中，因为目前製造出的PCM容量还比较低，未来的PCM产品有望用于智慧手机和平板中。
PCM快闪记忆体是以bit为单位进行单元擦除，这与NAND快闪记忆体以block区块为单位擦除有明显不同，因此擦除速度更快，这意味着其写入性能更高，美光的F&Q页面上表示PCM随机读取速度有400MB/s，这还只是第一代产品的性能。此外，美光表示PCM快闪记忆体的启动速度更快。
与NAND快闪记忆体一样，PCM也存在写入次数限制，不过PCM的特性就是每个cell单元都可以存储多位元bit，因此PCM的可靠性理论上高于NAND，美光生产的PCM快闪记忆体写入次数高达10万次，堪比SLC快闪记忆体。

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