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Littelfuse公司宣布推出低电容型瞬态抑制二极体阵列

导读 相比同类技术可将箝位电压降低15% 保护差分数据线免受ESD、CDE、EFT和雷击感应突波造成的损害 Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业
相比同类技术可将箝位电压降低15%
保护差分数据线免受ESD、CDE、EFT和雷击感应突波造成的损害
Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布推出了低电容型SP2574NUTG瞬态抑制二极体阵列(SPA®二极体),旨在保护高速差分数据线免受ESD(静电放电)、CDE(电缆放电)、EFT(电气快速瞬变)和雷击感应突波造成的损害。SP2574NUTG来自SP2574N系列瞬态抑制二极体阵列,可在高达40A(IEC61000-4-5)和高达30kVESD(IEC61000-4-2)的条件下保护四个通道或两个差分线对。低电容(从I/O到接地端仅为3.8pFTYP)和低箝位电压(40A条件下相比同类解决方案要低15%)使其成为保护高速数据介面的理想选择,例如笔记型电脑、开关、伺服器等的1GbE应用。它还非常适合用于WAN/LAN设备、LVDS介面、集成高频磁性元件和智慧电视应用。

LittelfuseSP2574NUTG瞬态抑制二极管高画质图.jpg(121.18KB,下载次数:10)

2014-8-2016:23上传


Littelfuse公司瞬态抑制二极体阵列产品系列总监ChadMarak表示:“SP2574NUTG可帮助设计工程师保护最先进的晶片集(例如乙太网PHY)免受各种可引起过早失效或软件误差的电气威胁损害。它的‘直通式’设计可保障讯号完整性、降低电压过冲并简化PCB设计。”
SP2574NUTGTVS瞬态抑制二极体阵列具有以下关键优势:
•可靠的突波和ESD保护功能让设计工程师能够确保其设计可达到或超过有关GR-1089、ITU和YD/T的全部监管要求。
•40A条件下的动态电阻极低,仅为0.13Ω,相比同类解决方案可将箝位电压降低15%。
•凭借每个输入/输出端与地面之间低至3.8pF(TYP)的电容,该解决方案可确保1GbE等高速差分线对应用的讯号完整性。
•小型(3.0x2.0毫米)µDFN-10封装可节省宝贵的电路板空间,让设计师能够直接将导线布在设备下方,而无需採用可能造成阻抗不适合的短线。
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