Intel展示Optane3DXpoint固态硬碟和SSD-DIMM

未命名.png(430.86KB,下载次数:0)

2015-10-3009:59上传

Intel英特尔于OpenWorld大会上，展示与美光合作的3DXpoint技术，去来取代NAND快闪记忆体，且也能当记忆体使用，而且储存密度是DRAM的十倍、寿命和性能更是快闪记忆体的1000倍，可用来取代NAND和DRAM。

展示的测试软体数据中，以3DXPoint为基础的NVMeSSD，IOPS高达70300，延迟仅有9µs(微秒)，IOPS比目前的NVMeSSD快上4.42倍(NVMeSSDIOPS为15900)，延迟更低了86.44倍(NVMeSSD延迟58µs)，效能可以说是大获全胜，而且在另一款测试软体显示出来的两者效能差距更大，3DXPointNVMeSSDIOPS为95600，NVMeSSD则为13400，差距7.13倍，而3DXPointNVMeSSD延迟为9微秒，但NVMeSSD延迟则是73微秒，差距高达8.11倍，可以说是3DXPointNVMe固态硬碟效能可以说把NVMeSSD远远抛于后头。

除了PCIe传输介面的Optane3DXpoint固态硬碟硬碟外，3DXPOINT还可做成DDR4记忆体介面，除了可为NAND，另外还可以当成DRAM使用，因此要实现记忆体断电资料不遗失或许已不在是难事。

　　免责声明：本文由用户上传，与本网站立场无关。财经信息仅供读者参考，并不构成投资建议。投资者据此操作，风险自担。 如有侵权请联系删除！