首页 > 资讯 > 正文

HPSandisk开发非易失新快闪记忆体速度快千倍

导读 今年7月份,Intel联合美光推出了3D XPoint储存方案,从形式上颗粒可理解为“3D快闪记忆体”。Intel在8月的IDF上上来就介绍了这项新技术,

今年7月份,Intel联合美光推出了3DXPoint储存方案,从形式上颗粒可理解为“3D快闪记忆体”。Intel在8月的IDF上上来就介绍了这项新技术,这是一种採用电阻的非易失性记忆体储存方案,读取延迟10纳秒级别,使用寿命即全碟写入1000万次级别,介于传统DRAM、NAND之间。

7ee93bee6dadfb7.jpg(83.98KB,下载次数:0)

2015-10-920:25上传


令人印象深刻的是,Intel称採用3DXPoint非易失性存储方案,比传统NAND快闪记忆体速度快1000倍、寿命长1000倍、储存密度高10倍,号称1989年NAND快闪记忆体推出以来最大的技术创新。考虑到现在DRAM、固态硬碟市场的蓬勃发展,蛋糕可不能仅仅由Intel和美光独享。

外媒报导称,HP与SanDisk週四共同宣布,双方将就联合推出新记忆体晶片达成合作协议。新技术号称可比传统快闪记忆体快1000倍,主要针对市场除了移动设备外,还包括数据中心等企业领域。很明显,HP与SanDisk的技术合作旨在挑战英特尔与美光于今年7月共同推出3DXpoint记忆体技术。HP和SanDisk表示,其新记忆体产品可于未来大规模取代传统DRAM,以更低价格和更快性能入驻企业数据中心。

消息来源

免责声明:本文由用户上传,如有侵权请联系删除!

标签:

Copyright @ 2015 -2023 太行之窗 All Rights Reserved. 网站地图 | 百度地图 .