SK Hynix声称其176层4D NAND闪存的数据传输速度提高了33％

SK海力士已经开发出所谓的“行业中最多层的”176层4DNAND闪存，目前以512吉比特(64GB)三层单元(TLC)的形式提供。迁移到176层设计将保证更大容量的存储产品(包括SSD)具有更快的启动速度。

数字遍地都是，但SKHynix表示，向176层NAND的转移比上一代(96层)提高了35%的位生产率，同时将单个单元的读取速度提高了20%，数据传输速度提高了33%。

所有这些如何转化为实际运输产品的性能仍有待观察。为此，SKHynix宣称移动产品是176层NAND的首批接收者，最大读取速度提高了70%，写入速度提高了35%。这些产品将在明年年中上市，随后是消费和企业SSD产品。

当今的NAND闪存产品已经采用了堆叠设计，因此采用3D命名。但是存储器制造商已经利用浮动栅和传统的单元结构尽了最大的努力。相比之下，176层设计使用了一种称为电荷陷阱闪存(CTF)的技术。

与浮动栅技术不同，CTF与将电荷存储在导体中的浮动栅不同，将电荷存储在绝缘体中，与浮栅技术相比，它消除了单元之间的干扰，改善了读写性能，同时减小了单位面积的单元面积。大多数3DNAND公司都采用CTF，“SK海力士解释道。

难题的另一部分是控制电路的位置。在常规内存设计中，该层位于内存单元结构旁边，但是在3D和SKHynix所谓的4D设计中，它位于单元结构下方。

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