LED多量子阱结构装置及生长方法（关于LED多量子阱结构装置及生长方法的简介）

2022-08-28 13:21:13 来源：用户：

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1、《LED多量子阱结构装置及生长方法》是圆融光电科技有限公司于2014年1月14日申请的发明专利，该专利申请号为201410016436X，公布号为CN103779465A，专利公布日为2014年5月7日，发明人是蔡武、郑远志、周德保、杨东、陈向东、康建、梁旭东。

2、《LED多量子阱结构装置及生长方法》提供的装置包括：能带能被调控的LED多量子阱结构，所述LED多量子阱结构从下往上包括依次交替生长的势垒层、铟组分递减的第一势阱层以及铟组分递增的第二势阱层。该结构通过调整势阱中的铟组分合理有效的改变能带形状，在量子阱有源区两端形成两个复合中心，增加有源区中电子和空穴波函数的叠加重合区域，提高辐射复合效率，从而提高了LED的发光效率。另外，In组分的渐变能显著提高LED的波长稳定性等工作性能。因此，该多量子阱结构装置可运用于InGaN基蓝光和绿光LED，提高蓝光和绿光LED有源区的内量子阱效率，进而提高LED的发光效率。

3、2020年7月17日，《LED多量子阱结构装置及生长方法》获得安徽省第七届专利奖优秀奖。

4、（概述图为《LED多量子阱结构装置及生长方法》的摘要附图）

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