三星在先进的 14 纳米 EUV 节点上开始量产 DDR5 内存

三星已正式开始量产其下一代DDR5内存，该内存将采用该公司的14nmEUV工艺节点制造。该内存将针对HPC和AI服务器，提供两倍于DDR4内存的性能。

三星DDR5内存量产：14纳米EUV工艺节点、7200Mbps速度和768GB容量

据三星称，新的工艺节点将帮助三星的14nmDDR5内存实现前所未有的整体速度提升。目前，14nmEUV工艺将速度提升至7.2Gbps，是DDR4(3.2Gbps)速度的两倍多。该公司告诉我们，它将通过基于24GbDRAMIC的更密集选项将其14纳米DDR5内存产品组合扩展到数据中心、超级计算机和企业服务器应用程序。这将使该公司能够将其DDR5内存从512GB-1TB容量扩展到768GB和1.5TBDram容量。

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三星电子今天宣布，它已开始量产业界最小的基于极紫外(EUV)技术的14纳米(nm)DRAM。继去年3月公司出货业界首款EUVDRAM后，三星已将EUV层数增加到5层，以为其DDR5解决方案提供当今最好、最先进的DRAM工艺。

三星全新五层EUV工艺可实现业界最高的DRAM位密度，将生产力提高约20%

三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人JooyoungLee表示：“近三年来，我们通过开拓关键的图案化技术创新引领了DRAM市场。”“今天，三星正在通过多层EUV设定另一个技术里程碑，该技术实现了14纳米的极端小型化——这是传统氟化氩(ArF)工艺无法实现的壮举。在这一进步的基础上，我们将通过充分满足5G、AI和Metaverse的数据驱动世界中对更高性能和容量的需求，继续提供最具差异化的内存解决方案。

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